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Adjustable Power Resistor
Ohmite
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松下-Panasonic
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Power Transistors
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TRANSYS
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
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捷捷微-JieJie
可控硅&二极管模块
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里阳-Liown
二极管芯片
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径向引线型压敏电阻
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力特-Littelfuse
J级保险丝
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华汕-Huashan
通用晶体管
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竞沃-TLC
自恢复保险丝
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DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
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东芝-Toshiba
2 CHIP LED LAMP FOR MESSAGE BOARD
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莱姆-LEM
电流传感器
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德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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最新高清超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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罗姆-ROHM
带64级调光功能 恒电流LED驱动器 最多可驱动4个LED
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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可控硅/二极管模块
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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可控硅/二极管模块
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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Low VCE(sat) Transistor
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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可控硅/二极管模块
PDF(1)
TYPEDESCRIPTION
MfrOhmite
SeriesDividohm®210
PackageBulk
Product StatusACTIVE
Tolerance±10%
Package / CaseRadial, 3 Lead, Tubular
Adjustment TypeSlide
Mounting TypeChassis Mount
Diameter1.126" OD, 0.752" ID (28.60mm x 19.10mm)
Length8.500" (215.90mm)
TerminationSolder Lug
Resistance150 Ohms
Power (Watts)175 W

+86-15816200391

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