• image of Niobium Oxide Capacitors>NOSB476M006R0500
  • image of Niobium Oxide Capacitors>NOSB476M006R0500
NOSB476M006R0500
Niobium Oxide Capacitors
KYOCERA AVX
CAP NIOB OXID 4
-
Tape & Reel (TR)
2000
1

captcha
image of Niobium Oxide Capacitors>NOSB476M006R0500
image of Niobium Oxide Capacitors>NOSB476M006R0500
NOSB476M006R0500
Niobium Oxide Capacitors
KYOCERA AVX
CAP NIOB OXID 4
-
Tape & Reel (TR)
740
1
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
STACKS IPM
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 1600A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 1200A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 600A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 1000A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 1200A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 600A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 1800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 2400A
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
The Industry's First Quad-core Mobile Processor with 32nm HKMG Process
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
Mobile Processor for Possibilities beyond a Component
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
调制解调器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
调制解调器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
5G 处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
调制解调器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
SONOTEC
检漏仪
NOSB476M006R0500
ThermometerSite
工业温度计
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
STACKS IPM
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 1600A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 1200A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 600A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 1000A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 1200A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 600A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 1800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1200V 800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 800A
NOSB476M006R0500
英飞凌-Infineon
IGBT MODULE 1700V 2400A
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
The Industry's First Quad-core Mobile Processor with 32nm HKMG Process
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
Mobile Processor for Possibilities beyond a Component
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
调制解调器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
调制解调器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
5G 处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
调制解调器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
三星-Samsung
移动处理器
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
宜鼎-Innodisk
nanoSSD
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
力特-Littelfuse
PolySwitch®自恢复器件
NOSB476M006R0500
SONOTEC
检漏仪
NOSB476M006R0500
ThermometerSite
工业温度计
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
TYPEDESCRIPTION
MfrKYOCERA AVX
SeriesOxiCap® NOS
PackageTape & Reel (TR)
Product StatusACTIVE
Tolerance±20%
FeaturesLow ESR
Package / Case1411 (3528 Metric), 1210
Size / Dimension0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 125°C
Manufacturer Size CodeB
Dissipation Factor6%
Supplier Device Package1210 (3528 Metric)
Height - Seated (Max)0.083" (2.10mm)
Capacitance47 µF
Voltage - Rated6.3 V
ESR (Equivalent Series Resistance)500 mOhms
Current - Leakage5.6 µA

+86-15816200391

点击这里给我发消息
0