TMYB93BNL Pulse Transformers_Passive components_Chip_Structural components_PCBA R&D and production_Optoelectronic products_Sensors_Connector_Split semiconductor_Electronic components

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：	Pulse Transformers
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Pulse Transformers

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LAN TRANSFORMER

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贴片式陶瓷电容器

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贴片式陶瓷电容器

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，60 V，3.0 mΩ，133 A

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，7.3 mΩ，52 A

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET 40 V，3.3Ω，102 A，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，40 V，1.1 mΩ，258 A，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 80 V, 77 A, 6.2mΩ Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，60 V，27.5 mΩ，21 A

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安森美-ONSEMI

MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 3.8 mΩ, 87 A

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，60V，26 A，21Ω，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，60 V，4.0 mΩ，100 A，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，5.3 mΩ，71 A

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 80 V, 22A, 29mΩ Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15mΩ，252 A

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 80 V, 42A, 13.1mΩ Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

MOSFET N-CH 60V 100A

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，60V，42 A，14.5Ω，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 40 V, 4.5 mOhms, 78 A, Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 80 V, 59A, 8.8mΩ Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

MOSFET N-CH 40V 258A

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 80 V, 30A, 19.5mΩ Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，40V，49 A，8.1Ω，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，12 mΩ，35 A

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，40 V，2.8 mΩ，110 A，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 4.5 mΩ, 80 A

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mΩ Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，40V，140 A，2.3Ω，单 N 沟道

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET 60 V, 9.2mΩ, 50 A, Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET, 60 V, 6.1 mOhms, 71 A, Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

Power MOSFET, 60 V, 2.0Ω, 185 A, Single N-Channel

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贴片式陶瓷电容器

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贴片式陶瓷电容器

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，60 V，3.0 mΩ，133 A

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，7.3 mΩ，52 A

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功率 MOSFET 40 V，3.3Ω，102 A，单 N 沟道

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功率 MOSFET，40 V，1.1 mΩ，258 A，单 N 沟道

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Power MOSFET 80 V, 77 A, 6.2mΩ Single N-Channel

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功率 MOSFET，单 N 沟道，60 V，27.5 mΩ，21 A

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安森美-ONSEMI

MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 3.8 mΩ, 87 A

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功率 MOSFET，60V，26 A，21Ω，单 N 沟道

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功率 MOSFET，60 V，4.0 mΩ，100 A，单 N 沟道

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功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，5.3 mΩ，71 A

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功率 MOSFET，单 N 沟道

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Power MOSFET 80 V, 22A, 29mΩ Single N-Channel

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功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15mΩ，252 A

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Power MOSFET 80 V, 42A, 13.1mΩ Single N-Channel

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MOSFET N-CH 60V 100A

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功率 MOSFET，60V，42 A，14.5Ω，单 N 沟道

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Power MOSFET 40 V, 4.5 mOhms, 78 A, Single N-Channel

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MOSFET N-CH 40V 258A

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Power MOSFET 80 V, 30A, 19.5mΩ Single N-Channel

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安森美-ONSEMI

功率 MOSFET，40V，49 A，8.1Ω，单 N 沟道

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功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，12 mΩ，35 A

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功率 MOSFET，40 V，2.8 mΩ，110 A，单 N 沟道

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MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 4.5 mΩ, 80 A

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Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mΩ Single N-Channel

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功率 MOSFET，40V，140 A，2.3Ω，单 N 沟道

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Power MOSFET 60 V, 9.2mΩ, 50 A, Single N-Channel

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Power MOSFET, 60 V, 6.1 mOhms, 71 A, Single N-Channel

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Power MOSFET, 60 V, 2.0Ω, 185 A, Single N-Channel

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TYPE	DESCRIPTION
Mfr	Taoglas
Series	Exos1G
Package	Tape & Reel (TR)
Product Status	ACTIVE
Inductance	350µH
Size / Dimension	1.125" L x 0.492" W (28.58mm x 12.50mm)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C
Transformer Type	LAN 1G Base-T, Power over Ethernet (PoE)
Turns Ratio - Primary:Secondary	1CT:1CT
Height - Seated (Max)	0.230" (5.85mm)